Potrivit rapoartelor din mass-media străină, o echipă de cercetare condusă de profesorul Zhou Shengjun de la Universitatea Wuhan a dezvoltat un LED verde de înaltă{0}}eficiență GaN- pe un substrat de safir. Echipa de cercetare își propune să utilizeze un strat de nucleare hibrid (Hybrid Nucleation Layer) compus din AIN pulverizat (Sputtered AlN) și dispozitive GaN cu temperatură medie-pentru a îmbunătăți eficiența cuantică a LED-urilor verzi bazate pe GaN-.
În prezent, dezvoltarea emițătorilor de nitrură de înaltă{0}}eficiență III- în întreaga gamă vizibilă este extrem de atractivă, iar fuziunea emițătorilor de nitrururi III-multiple de culoare permite un management spectral hibrid eficient și precis , rezultând afișaje de înaltă-rezoluție și diverse aplicații de iluminare inteligentă, dar principalul obstacol în prezent este eficiența slabă a emițătorilor de nitrură III-în regiunea spectrală verde până la cafeniu.
În acest scop, cercetătorii de la Universitatea Wuhan au folosit un nou strat de nucleare hibrid pentru a fabrica LED-uri verzi InGaN/GaN de înaltă eficiență pe substraturi de safir. În timpul procesului de producție, stratul de nucleare mixt și suprafața GaN vor genera o structură de defecțiuni de stivuire, care ajută la obținerea compensării stresului misfit.
Beneficiind de relaxarea inițială a stresului de nepotrivire termică, densitatea de dislocare și stresul rezidual din LED-urile verzi sunt reduse. Ca rezultat, echipa de cercetare a îmbunătățit eficiența cu aproximativ 16 la sută în timpul producției de masă.
Echipa de cercetare a Universității din Wuhan a spus că perspectiva de aplicare a stratului de nucleare hibridă este foarte promițătoare pentru realizarea unor emițători de nitrură de înaltă{0}}eficiență III- în regiunea verde până la galben-maro.
